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- 封装：8-PowerTDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.2-$1.33
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56
- 封装：8-PowerTDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.2-$1.33
FDMS3602S 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
- 询价
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Fairchild
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DFN8
21+ -
40
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上海市
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-
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一级代理原装
FDMS3602S 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A, 26A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.6 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1680pF @ 13V
- 功率 - 最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：Power56
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FDMS3602S-NDFDMS3602STR