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- 封装：8-WDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.384-$0.448
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
- 封装：8-WDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.384-$0.448
FDMC8200S 供应商
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Onsemi
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WDFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ON/FAIRCHILD
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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ORSEMI/安森美
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WDFN-8
22+ -
668765
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上海市
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原装可开发票
FDMC8200S 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：660pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-MLP（3.3X3.3），Power33
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FDMC8200S-NDFDMC8200STR