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  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.09213-$0.12359

更新日期:2025-01-08

产品简介:MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6

  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.09213-$0.12359

FDG6316P 供应商

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FDG6316P 中文资料属性参数

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:700mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 700mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:146pF @ 6V
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-70-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDG6316P-ND

FDG6316P 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDG6316P

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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