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- 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.126-$0.16275
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
- 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.126-$0.16275
FDC6401N 供应商
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FDC6401N
原装现货 -
ON
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SOT23-6
22+ -
17261
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深圳
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12-12
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原装进口ON专卖店
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Onsemi
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TSOT-23-6
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ON/安森美
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SMD
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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TSOT-23-6
22+ -
668573
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上海市
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原装可开发票
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FAIRCHIL
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DIP-28
23+ -
15000
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上海市
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中国区代理原装现货热卖特价
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ON
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SOT23
21+ -
39000
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上海市
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原装现货!品质为先！请来电垂询！
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FAIRCHIL
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6SuperSOT
23+ -
5800
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上海市
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进口原装现货，杜绝假货。
FDC6401N 中文资料属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：PowerTrench®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 3A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：324pF @ 10V
- 功率 - 最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：FDC6401N-NDFDC6401NTR
FDC6401N