ECH8620-TL-E
FET - 阵列- 封装:8-SMD,扁平引线
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel?
更新日期:2024-04-01 00:04:00
ECH8620-TL-E
FET - 阵列产品简介:MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8
- 封装:8-SMD,扁平引线
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel?
ECH8620-TL-E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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SANYO/ELNAF
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SOT23-8
1806+ -
2984
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
ECH8620-TL-E 中文资料属性参数
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:N 和 P 沟道
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A,1.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:260 毫欧 @ 1A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:13.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:650pF @ 20V
- 功率 - 最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:8-ECH
- 包装:Digi-Reel?
- 其它名称:869-1157-6