搜索
发布采购
DMN65D8LDW-7
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.03906-$0.0625
更新日期：2024-04-01 00:04:00
DMN65D8LDW-7
FET - 阵列产品简介：MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.03906-$0.0625
DMN65D8LDW-7 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DIODES
-
-
1652 -
475
-
上海市
-
-
-
全新原装
-
DIODES
-
-
2021+ -
28000
-
苏州
-
-
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
DMN65D8LDW-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 欧姆 @ 115mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.87nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：22pF @ 25V
- 功率 - 最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DMN65D8LDW-7DITR