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DMG6602SVT-7
FET - 阵列- 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.055-$0.088
更新日期：2024-04-01
DMG6602SVT-7
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.055-$0.088
DMG6602SVT-7 供应商
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DMG6602SVT-7
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DMG6602SVT-7
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DMG6602SVT-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A，2.8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 3.1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：400pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.12W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：TSOT-23-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DMG6602SVT-7DITR