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DMG1016UDW-7
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.05-$0.08
更新日期：2024-04-01
DMG1016UDW-7
FET - 阵列产品简介：MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.05-$0.08
DMG1016UDW-7 供应商
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连可连代销V -
2288
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上海市
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1
DMG1016UDW-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.07A，845mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 600mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.74nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：60.67pF @ 16V
- 功率 - 最大：330mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：DMG1016UDW-7DITR