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DI9952T
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
- 参考价格：$1.24713-$2.67
更新日期：2024-04-01 00:04:00
DI9952T
FET - 阵列产品简介：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：剪切带 (CT)
- 参考价格：$1.24713-$2.67
DI9952T 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：DI9952DI9952CT