- 封装:8-LDFN 裸露焊盘
- RoHS:含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$1.8-$3.6
更新日期:2025-03-11 14:03:27
产品简介:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
查看详情- 封装:8-LDFN 裸露焊盘
- RoHS:含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$1.8-$3.6
CSD87353Q5D 供应商
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CSD87353Q5D
原装现货 -
TI
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LSON
2301+ -
400
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北京市
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03-11
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原装现货北京库存
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
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-
-
一级代理原装
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TI(德州仪器)
-
LSON-CLIP-8
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
CSD87353Q5D 中文资料属性参数
- 产品培训模块:NexFET MOSFET TechnologyTelecom Point of Load Solutions
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:NexFET™
- FET 型:2 N 沟道(半桥)
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.15V,2.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3190pF @ 15V
- 功率 - 最大:12W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-SON-EP(5x6)
- 包装:?
- 其它名称:296-29661-6
产品特性
- 输入电压高达 27V
- 半桥电源块
- 25A 电流时系统效率为 95%
- 工作电流高达 40A
- 高频工作(高达 1.5MHz)
- 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。
CSD87353Q5D 电路图
CSD87353Q5D 电路图

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