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- 封装：8-LDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
查看详情- 封装：8-LDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
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CSD87350Q5D 中文资料属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：PowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：NexFET™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.9 毫欧 @ 20A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1770pF @ 15V
- 功率 - 最大：12W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON（5x6）
- 包装：?
- 其它名称：296-28318-6
产品特性
- 半桥电源块
- 25A 电流下系统效率达 90%
- 工作电流高达 40A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD87350Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
CSD87350Q5D 电路图
CSD87350Q5D 电路图