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- 封装：8-LDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$1.1175-$2.39
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
查看详情- 封装：8-LDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$1.1175-$2.39
CSD87330Q3D 供应商
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CSD87330Q3D 中文资料属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET TechnologyTelecom Point of Load Solutions
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：NexFET™
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：900pF @ 15V
- 功率 - 最大：6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
- 包装：?
- 其它名称：296-29660-6
产品特性
- 半桥式电源块
- 高达 27 V VIN
- 在 15 A 电流下可实现 91% 的系统效率
- 高达 20 A 的工作电流
- 高频率工作（高达 1.5MHz）
- 高密度 — SON 3.3-mm × 3.3-mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅终端电镀
产品概述
CSD87330Q3D NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计，能够以 3.3 毫米 × 3.3 毫米的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。当与来自外部控制器/驱动的任一 5 V栅极驱动器成对使用时，此产品提供一个灵活的解决方案以提供高密度电源，因此此产品为 5 V栅极驱动应用提供最优解决方案。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供高度灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时，均可提供高密度电源。
CSD87330Q3D 电路图
CSD87330Q3D 电路图