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- 封装：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$1.512-$3.02
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
查看详情- 封装：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$1.512-$3.02
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CSD86350Q5D 中文资料属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
- 特色产品：CSD86350Q5D Synchronous Buck NexFET? Power Block
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：NexFET™
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 毫欧 @ 20A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10.7nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1870pF @ 12.5V
- 功率 - 最大：13W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SON（5x6）
- 包装：?
- 其它名称：296-27532-6
产品特性
- Half-Bridge Power Block
- 90% System Efficiency at 25 A
- Up to 40-A Operation
- High-Frequency Operation (up to 1.5 MHz)
- High-Density SON 5-mm × 6-mm Footprint
- Optimized for 5-V Gate Drive
- Low-Switching Losses
- Ultra-Low Inductance Package
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- Lead-Free Terminal Plating
- APPLICATIONS Synchronous Buck Converters High-Frequency Applications High-Current, Low-Duty Cycle Applications Multiphase Synchronous Buck Converters POL DC-DC Converters IMVP, VRM, and VRD Applications
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产品概述
The CSD86350Q5D NexFET™ power block is an optimized
design for synchronous buck applications offering high-current, high-efficiency, and high-frequency
capability in a small 5-mm × 6-mm outline. Optimized for 5-V gate drive applications, this product
offers a flexible solution capable of offering a high-density power supply when paired with any 5-V
gate drive from an external controller/driver.