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- 封装：8-LDFN
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$1.1175-$2.39
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET 电源块
查看详情- 封装：8-LDFN
- RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$1.1175-$2.39
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CSD86330Q3D 中文资料属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 视频文件：PowerStack? Packaging Technology Overview
- 特色产品：CSD86330Q3D NexFET? Power BlockCSD86330Q3D Power Block and TPS53219 Buck Controller
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：NexFET™
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.6 毫欧 @ 14A，8V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：920pF @ 12.5V
- 功率 - 最大：6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-LDFN
- 供应商设备封装：8-SON（3.3x3.3）
- 包装：?
- 其它名称：296-28216-6
产品特性
- Half-Bridge Power Block
- 90% System Efficiency at 15 A
- Up to 20 A Operation
- High Frequency Operation (Up To 1.5 MHz)
- High Density – SON 3.3 mm × 3.3 mm Footprint
- Optimized for 5 V Gate Drive
- Low Switching Losses
- Ultra Low Inductance Package
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- Pb-Free Terminal Plating
- APPLICATIONS Synchronous Buck Converters High Frequency Applications High Current, Low Duty Cycle Applications Multiphase Synchronous Buck Converters POL DC-DC ConvertersIMVP, VRM, and VRD Applications
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产品概述
The CSD86330Q3D NexFET™ power block is an
optimized design for synchronous buck applications offering high current, high efficiency, and high
frequency capability in a small 3.3 mm × 3.3 mm outline. Optimized for 5 V gate drive applications,
this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired
with any 5 V gate drive from an external controller/driver.
CSD86330Q3D 电路图
CSD86330Q3D 电路图