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BSS138DW-7-F
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.09225-$0.12375
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSS138DW-7-F
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.09225-$0.12375
BSS138DW-7-F 供应商
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BSS138DW-7-F
原装现货 -
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BSS138DW-7-F 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：50V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.5 欧姆 @ 220mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 10V
- 功率 - 最大：200mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SOT-363
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSS138DW-FDITR
BSS138DW-7-F 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BSS138DW-7-F
|
MOSFET, NN CH, 50V, SOT-363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):3.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Power Dissipation Pd:200mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:200mA; Package / Case:SOT-363; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:50V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V |
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