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BSO330N02K G
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.30711
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSO330N02K G
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.30711
BSO330N02K G 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 20µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：730pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：PG-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO330N02K G-NDBSO330N02K GINTRSP000380284