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BSO303P H
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.60624-$0.68202
更新日期：2024-04-01
BSO303P H
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.60624-$0.68202
BSO303P H 供应商
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infineon
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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INFINEON
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PG-DSO-8
2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
BSO303P H 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫欧 @ 8.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：49nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2678pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：PG-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO303P H-NDSP000613854