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BSO211P
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.39872
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSO211P
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.39872
BSO211P 供应商
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BSO211P 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：23.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：920pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：P-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO211PINTR
BSO211P 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BSO211PNTMA1
|
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
8页,82K | 查看 |