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BSO207P
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.48524
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSO207P
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.48524
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BSO207P 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫欧 @ 5.7A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 40µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：23.4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1013pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：P-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO207PINTRBSO207PNTBSO207PTBSO207PT-NDSP000012573