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BSD223P H6327
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSD223P H6327
FET - 阵列产品简介：MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
BSD223P H6327 供应商
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INFINEON/英飞凌
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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BSD223P H6327 中文资料属性参数
- 数据列表：BSD223P
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：390mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 1.5µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.62nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：56pF @ 15V
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：PG-SOT363-6
- 包装：带卷 (TR)