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AON7932
FET - 阵列- 封装：8-WDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.2912-$0.8
更新日期：2024-04-01
AON7932
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 26A/35A DFN3X3A
- 封装：8-WDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.2912-$0.8
AON7932 中文资料属性参数
- 特色产品：AON7932 30 V Dual Asymmetric
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 N 沟道（非对称桥）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：26A，35A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 6.6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：460pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-DFN-EP（3x3）
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：785-1407-6