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AON4803
FET - 阵列- 封装：8-WDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.186
更新日期：2024-04-01
AON4803
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2
- 封装：8-WDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.186
AON4803 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 3.4A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：745pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-WDFN
- 供应商设备封装：8-DFN（3x2）
- 包装：带卷 (TR)