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AO5803E
FET - 阵列- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.129
更新日期：2024-04-01
AO5803E
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.129
AO5803E 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：600mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫欧 @ 600mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：900mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：100pF @ 10V
- 功率 - 最大：400mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)