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ALD1110ESAL
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$2.6326
更新日期：2024-04-01 00:04:00
ALD1110ESAL
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$2.6326
ALD1110ESAL 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：EPAD®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：10V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 欧姆 @ 5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：600mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC
- 包装：管件