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ALD1101PAL
FET - 阵列- 封装：8-DIP（0.300"，7.62mm）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$1.5045-$3.3
更新日期：2024-04-01
ALD1101PAL
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP
- 封装：8-DIP（0.300"，7.62mm）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$1.5045-$3.3
ALD1101PAL 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：13.2V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 欧姆 @ 5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：500mW
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商设备封装：8-PDIP
- 包装：管件
- 其它名称：1014-1002