ZXMN3A02X8TC
FET - 单- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01
ZXMN3A02X8TC
FET - 单产品简介:MOSFET N-CHAN 30V 8MSOP
- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
ZXMN3A02X8TC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-MSOP
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMN3A02X8TC 中文资料属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.3A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:25 毫欧 @ 12A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:26.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1400pF @ 25V
- 功率 - 最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:8-MSOP
- 包装:带卷 (TR)
ZXMN3A02X8TC 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
7 Pages页,451K | 查看 |
ZXMN3A02X8TC 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G