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ZXM66P02N8TA

FET - 单
  • 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.0308-$1.50326

更新日期：2024-04-01

ZXM66P02N8TA

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

  • 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.0308-$1.50326

ZXM66P02N8TA 供应商

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ZXM66P02N8TA 中文资料属性参数

  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 3.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：43.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2068pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.56W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：ZXM66P02N8TR

ZXM66P02N8TA 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
ZXM66P02N8TA

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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