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TPCF8102(TE85L)
FET - 单- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
TPCF8102(TE85L)
FET - 单产品简介：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
TPCF8102(TE85L) 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 3A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1550pF @ 10V
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：TPCF8102TR
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