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SUM65N20-30-E3

FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.05868

更新日期：2024-04-01

SUM65N20-30-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.05868

SUM65N20-30-E3 供应商

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SUM65N20-30-E3 中文资料属性参数

  • 数据列表：SUM65N20-30
  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：65A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5100pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.75W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SUM65N20-30-E3-NDSUM65N20-30-E3TR

SUM65N20-30-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SUM65N20-30-E3

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:D2-PAK; Capacitance Ciss Typ:5100pF; Current Id Max:65A; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.75W; Pulse Current Idm:140A; Repetitive Avalanche Energy Max:61mJ; Reverse Recovery Time trr...

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