SUD50P04-13L-E3
FET - 单- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.4368
更新日期:2024-04-01
SUD50P04-13L-E3
FET - 单产品简介:MOSFET P-CH D-S 40V TO252
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.4368
SUD50P04-13L-E3 供应商
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VISHAY
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最新批号 -
6996
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上海市
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SUD50P04-13L-E3 中文资料属性参数
- 标准包装:2,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 毫欧 @ 30A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:95nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3120pF @ 25V
- 功率 - 最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:带卷 (TR)
SUD50P04-13L-E3 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
MOSFET, P, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:50; Current Id Max:-60A; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:22mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:13mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:93.7mW; Pulse Current Idm:100A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:-40V; Voltage Vgs Max:-20V; Vol... |
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