- 封装:TO-247-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$3.17184-$6.94
更新日期:2025-02-12
产品简介:MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
- 封装:TO-247-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$3.17184-$6.94
STW26NM60N 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
STW26NM60N
原装现货 -
ST
-
TO-247
2051 -
17596
-
北京市
-
02-12
-
原厂授权渠道,现货
-
STW26NM60N
原装现货 -
ST
-
TO-247
24+ -
30272
-
深圳
-
05-09
-
原装现货,可接订货,QQ383204303微信同号
-
STW26NM60N
订货 -
STM
-
TO-247AC
23+ -
3200
-
上海市
-
-
-
原装优势品牌
-
isc/固电半导体
-
TO-247
2024+ -
1000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc,33年国产工厂
-
ST
-
TO-247-3
21+ -
200000
-
上海市
-
-
-
原装现货!品质为先!请来电垂询!
-
ST
-
TO-247
23+ -
5800
-
上海市
-
-
-
进口原装现货,杜绝假货。
-
ST/ELNAF
-
TO-247
1926+ -
10200
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
-
-
连可连代销V -
60
-
上海市
-
-
-
1
STW26NM60N 中文资料属性参数
- 其它有关文件:STW26NM60N View All Specifications
- 标准包装:30
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:MDmesh™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:165 毫欧 @ 10A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1800pF @ 50V
- 功率 - 最大:140W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商设备封装:TO-247-3
- 包装:管件
- 工具箱:497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
- 其它名称:497-9066-5
STW26NM60N 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247 |
23页,1.32M | 查看 |
STW26NM60N 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G