您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

STV200N55F3

STMicroelectronics FET - 单
  • 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$3.6672-$5.53

更新日期：2024-04-01 00:04:00

STV200N55F3

STMicroelectronics FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

  • 封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$3.6672-$5.53

STV200N55F3 中文资料属性参数

  • 特色产品：Mosfets in PowerSO-10 Package
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：STripFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.5 毫欧 @ 75A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6800pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装：PowerSO-10
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-7028-6

STV200N55F3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

 12页,488K 查看

STV200N55F3 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9