- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$3.21625-$6.43
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N-CH 600V 19A TO-220
- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$3.21625-$6.43
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STP23NM60N 中文资料属性参数
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:MDmesh™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:2050pF @ 50V
- 功率 - 最大:150W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:497-7517-5STP23NM60N-ND
STP23NM60N 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH 600V 19A TO-220 |
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MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220 |
22页,1.08M | 查看 |
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