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STP180N55F3

STMicroelectronics FET - 单
  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$2.2848-$5

更新日期：2024-04-01

STP180N55F3

STMicroelectronics FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

  • 封装：TO-220-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$2.2848-$5

STP180N55F3 供应商

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STP180N55F3 中文资料属性参数

  • 其它有关文件：STP180N55F3 View All Specifications
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：STripFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.8 毫欧 @ 60A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6800pF @ 25V
  • 功率 - 最大：330W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 工具箱：497-8011-KIT-ND - KIT MOSFET AUTOMOTIVE
  • 其它名称：497-7512-5STP180N55F3-ND

STP180N55F3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STP180N55F3

MOSFET, N CH, 55V, 120A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:120A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:330W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

14页,449K 查看
STP180N55F3

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

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