- 封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$3.1977-$5.39
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
- 封装:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$3.1977-$5.39
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STH180N10F3-6 中文资料属性参数
- 其它有关文件:STH180N10F3-6 View All Specifications
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:STripFET™ III
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.5 毫欧 @ 60A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:114.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:6665pF @ 25V
- 功率 - 最大:315W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
- 供应商设备封装:H²PAK
- 包装:?
- 其它名称:497-11840-6
STH180N10F3-6 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
STH180N10F3-6
|
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK |
15页,660K | 查看 |
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