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SPP18P06P H
FET - 单- 封装：TO-220-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.55674-$1.47
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SPP18P06P H
FET - 单产品简介：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
- 封装：TO-220-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.55674-$1.47
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SPP18P06P H 中文资料属性参数
- 数据列表：SPP18P06P G
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：SIPMOS®
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 13.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：860pF @ 25V
- 功率 - 最大：81.1W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：PG-TO220-3
- 包装：管件
- 其它名称：SP000446906SPP18P06P GSPP18P06P G-ND
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