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SIHG22N50D-GE3
FET - 单- 封装：*
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：*
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIHG22N50D-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：22A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：230 毫欧 @ 11A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：92nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1938pF @ 100V
- 功率 - 最大：312W
- 安装类型：*
- 封装/外壳：*
- 供应商设备封装：*
- 包装：*
SIHG22N50D-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIHG22N50D-GE3
|
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC |
8页,183K | 查看 |
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