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SIHB30N60E-GE3
FET - 单- 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$2.7795-$6.1
更新日期：2024-04-01
SIHB30N60E-GE3
FET - 单产品简介：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$2.7795-$6.1
SIHB30N60E-GE3 供应商
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-
VISHAY/威世
-
TO-263
21+ -
16500
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
SIHB30N60E-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：29A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2600pF @ 100V
- 功率 - 最大：250W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：管件
SIHB30N60E-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIHB30N60E-GE3
|
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
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