SIA421DJ-T1-GE3
FET - 单- 封装:PowerPAK? SC-70-6
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.348-$0.406
更新日期:2024-04-01
SIA421DJ-T1-GE3
FET - 单产品简介:MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
- 封装:PowerPAK? SC-70-6
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.348-$0.406
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SIA421DJ-T1-GE3 中文资料属性参数
- 特色产品:Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:950pF @ 15V
- 功率 - 最大:19W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SC-70-6
- 供应商设备封装:PowerPAK? SC-70-6 单
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SIA421DJ-T1-GE3TR
SIA421DJ-T1-GE3 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
9页,204K | 查看 |
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