SI8487DB-T1-E1
FET - 单- 封装:4-UFBGA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.1788-$0.23095
更新日期:2024-04-01 00:04:00
SI8487DB-T1-E1
FET - 单产品简介:MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT
- 封装:4-UFBGA
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.1788-$0.23095
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SI8487DB-T1-E1 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:31 毫欧 @ 2A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:2240pF @ 15V
- 功率 - 最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:4-UFBGA
- 供应商设备封装:4-Microfoot
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI8487DB-T1-E1TR
SI8487DB-T1-E1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
SI8487DB-T1-E1
|
MOSFET P-CH 30V MICROFOOT |
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