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SI8461DB-T2-E1

FET - 单
  • 封装：4-XFBGA，CSPBGA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.18-$0.2175

更新日期：2024-04-01

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SI8461DB-T2-E1

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT

  • 封装：4-XFBGA，CSPBGA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.18-$0.2175

SI8461DB-T2-E1 供应商

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SI8461DB-T2-E1 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：-
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：610pF @ 10V
  • 功率 - 最大：780mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA
  • 供应商设备封装：4-Microfoot
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI8461DB-T2-E1TR

SI8461DB-T2-E1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI8461DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

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