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SI7703EDN-T1-GE3

FET - 单
  • 封装：PowerPAK? 1212-8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.504-$0.588

更新日期：2024-04-01

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SI7703EDN-T1-GE3

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK

  • 封装：PowerPAK? 1212-8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.504-$0.588

SI7703EDN-T1-GE3 供应商

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SI7703EDN-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：48 毫欧 @ 6.3A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 800µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7703EDN-T1-GE3TR

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