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SI7450DP-T1-E3

FET - 单
  • 封装：PowerPAK? SO-8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.11733

更新日期：2025-01-08

SI7450DP-T1-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC

  • 封装：PowerPAK? SO-8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$1.11733

SI7450DP-T1-E3 供应商

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SI7450DP-T1-E3 中文资料属性参数

  • 数据列表：SI7450DP
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.9W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7450DP-T1-E3TR

SI7450DP-T1-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI7450DP-T1-E3

N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes

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