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SI7106DN-T1-E3

FET - 单
  • 封装：PowerPAK? 1212-8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.73333

更新日期：2024-04-01

SI7106DN-T1-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

  • 封装：PowerPAK? 1212-8
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.73333

SI7106DN-T1-E3 供应商

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SI7106DN-T1-E3 中文资料属性参数

  • 数据列表：SI7106DN
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫欧 @ 19.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7106DN-T1-E3TR

SI7106DN-T1-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI7106DN-T1-E3

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:19500mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0098ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:1.5W ;RoHS Compliant: Yes

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