SI5435BDC-T1-E3
FET - 单- 封装:8-SMD,扁平引线
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.348-$0.406
更新日期:2024-04-01
SI5435BDC-T1-E3
FET - 单产品简介:MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
- 封装:8-SMD,扁平引线
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.348-$0.406
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SI5435BDC-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表:SI5435BDC
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.3A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
- 功率 - 最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI5435BDC-T1-E3TR
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