您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

SI4442DY-T1-E3

FET - 单
  • 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.6706

更新日期：2024-04-01

SI4442DY-T1-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

  • 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.6706

SI4442DY-T1-E3 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

SI4442DY-T1-E3 中文资料属性参数

  • 数据列表：SI4442DY
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 22A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI4442DY-T1-E3TR

SI4442DY-T1-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI4442DY-T1-E3

TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:22A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:3.5W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

5页,83K 查看

SI4442DY-T1-E3 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9