SI4401DDY-T1-GE3
FET - 单- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.264-$0.319
更新日期:2024-04-01
SI4401DDY-T1-GE3
FET - 单产品简介:MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.264-$0.319
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SI4401DDY-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:16.1A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 10.2A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:95nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3007pF @ 20V
- 功率 - 最大:6.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI4401DDY-T1-GE3TR
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