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SI3475DV-T1-E3

FET - 单
  • 封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

SI3475DV-T1-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP

  • 封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

SI3475DV-T1-E3 供应商

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SI3475DV-T1-E3 中文资料属性参数

  • 数据列表：SI3475DV
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：950mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.61 欧姆 @ 900mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：500pF @ 50V
  • 功率 - 最大：3.2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI3475DV-T1-E3TR

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