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SI2337DS-T1-GE3

FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.406

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI2337DS-T1-GE3

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.406

SI2337DS-T1-GE3 供应商

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SI2337DS-T1-GE3 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 1.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：500pF @ 40V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)

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