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SI2323DS-T1-E3

FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.1584-$0.2046

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI2323DS-T1-E3

FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.1584-$0.2046

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SI2323DS-T1-E3 中文资料属性参数

  • 数据列表：SI2323DS
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1020pF @ 10V
  • 功率 - 最大：750mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI2323DS-T1-E3TR

SI2323DS-T1-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI2323DS-T1-E3

MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-4.7A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.25W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

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